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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSR202N L6327 

产品描述

MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal TRANSISTOR 20V 3.8A

内部编号

173-BSR202N-L6327

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:8734
1+¥3.1453
10+¥2.4342
100+¥1.3197
1000+¥0.9915
3000+¥0.8547
9000+¥0.7932
24000+¥0.7316
45000+¥0.7043
99000+¥0.6633
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:22949
1+¥3.302
10+¥2.775
100+¥2.0828
500+¥1.5274
1000+¥1.1803
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSR202N L6327产品详细规格

规格书 BSR202N L6327 datasheet 规格书
BSR202N
BSR202N L6327 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 3.8A
Rds(最大)@ ID,VGS 21 mOhm @ 3.8A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.2V @ 30µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 8.8nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1147pF @ 10V
功率 - 最大 500mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SC-59
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3.8A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.2V @ 30µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 PG-SC-59
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 21 mOhm @ 3.8A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 500mW
标准包装 3,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 1147pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 8.8nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称 BSR202N L6327CT
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 3.8 A
系列 BSR202
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 21 mOhms at 4.5 V
功率耗散 500 mW
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SC-59-3
典型关闭延迟时间 19 ns
零件号别名 BSR202NL6327HTSA1 SP000257784
上升时间 16.7 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 16.7 ns
Continuous Drain Current Id :3.8A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :0.017ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :950mV
功耗 :500mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SC-59
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.000032
Tariff No. 85044090

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